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相位掩模版（光柵）
- 產(chǎn)品型號：
- 更新時間：2023-12-21
- 產(chǎn)品介紹：相位掩模版（光柵）用于制造光纖布拉格光柵，它是控制高性能光學網(wǎng)絡(luò)中波長選擇性和色散補償?shù)年P(guān)鍵組件。相位掩膜板具有廣泛的應用，但是比較常見的是，PMT相位掩膜板（光柵）用于記錄其他光柵，例如集成光學設(shè)備中的平面波導光柵和光纖布拉格光柵（FBG）。FBG是位于光纖芯中的光頻率濾波器。
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產(chǎn)品介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 價格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 組件類別 | 光學元件 | 應用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,化工,電子/電池 |
相位掩模版產(chǎn)品介紹
相位掩模版用于制造光纖布拉格光柵，它是控制高性能光學網(wǎng)絡(luò)中波長選擇性和色散補償?shù)年P(guān)鍵組件。相位掩模版具有廣泛的應用，但是比較常見的是，PMT相位掩模版（本身就是光柵）用于記錄其他光柵，例如集成光學設(shè)備中的平面波導光柵和光纖布拉格光柵（FBG）。FBG是位于光纖芯中的光頻率濾波器。相位掩模版技術(shù)是相位掩模版制造領(lǐng)域的。相掩模制造廠位于加利福尼亞州弗里蒙特，涉及微細加工和全息技術(shù)方面的復雜而苛刻的技術(shù)。
定標準或自定義相位掩模版時，需要執(zhí)行一些重要的步驟和計算，以確保設(shè)備按預期運行。本文將幫助您檢查在定下一個任務關(guān)鍵階段掩碼時所需的總體配置和公式。
相位掩模版（光柵）相位掩模版（光柵）
相位掩模版介紹
相掩模是表面起伏光柵，通常在熔融石英中蝕刻，如圖1所示。 在大多數(shù)應用中，相位掩模版本質(zhì)上用作精密衍射光柵，它將通常在UV光譜范圍內(nèi)的入射單色光束分成兩個出射光束。 這兩個出射光束在它們重疊的區(qū)域中產(chǎn)生干涉圖樣，如圖2所示。
相位掩模版具有廣泛的應用，但是比較常見的是，PMT相位掩模版用于記錄其他光柵。 這些的典型示例是集成光學器件中使用的平面波導光柵和光纖布拉格光柵（FBG）。 FBG是光纖纖芯折射率的周期性調(diào)制，通常用于在一個或多個波長下產(chǎn)生高反射特性。
相位掩模版配置
大多數(shù)相位掩模版均采用高純度的紫外線透明熔融石英制成，但也可以使用其他材料。 可訪問的數(shù)據(jù)表提供了我們標準產(chǎn)品各種相位掩模版參數(shù)范圍的概述。
相位掩模版光柵的“周期”（或“間距”）范圍從幾百納米到近2000納米（2微米）。 光柵區(qū)域的尺寸范圍很廣，從幾平方毫米到10毫米乘120毫米不等。 在其上蝕刻了相位掩模版光柵的二氧化硅襯底的厚度通常為1/8“。更長的光柵輪廓基本上是二進制的（矩形波）周期，并且在較短的周期內(nèi)趨于準正弦曲線。
通常以+ 1 / -1或0 / -1兩種配置中的一種來使用相位掩模版，其中數(shù)字是指包含大量衍射光的衍射級數(shù)。
在+ 1 / -1配置中，UV輻射以垂直入射的方式對準相位掩模版，由出射光束的干涉產(chǎn)生的條紋圖案的周期恰好是相位掩模版光柵周期的一半，如下所示： 如圖3所示。 在0 / -1配置中，UV輻射以特定選擇的入射角射向相位掩模版，并且條紋圖案的周期與相位掩模版光柵的周期相等。
圖4的上部是+ 1 / -1配置中FBG記錄的示意圖。 紫外線通常入射在相位掩模版上。 條紋的圖案是高強度和低強度的固定交替區(qū)域，是由于兩個出射光束的干涉而產(chǎn)生的。一段光纖（通常由二氧化硅制成）以這種干涉圖案放置。 通常通過摻雜鍺，錫，硼，磷和其他元素的氧化物，使纖芯具有光敏性。 由于這種光敏性，纖芯的折射率通過暴露于紫外線輻射而改變。因此，暴露于干涉圖案會導致芯材料中折射率的周期性調(diào)制。 結(jié)果是光纖布拉格光柵（FBG），如圖4底部所示。
在工作中，F(xiàn)BG充當窄帶抑制濾波器，如圖5所示。 具體而言，一個波長被FBG高度反射，而其他波長未衰減地通過。 FBG位于許多光纖傳感設(shè)備和電信組件的核心。 它們是許多光纖系統(tǒng)中的基本構(gòu)建塊。
相位掩模版公式
當相位掩模版以+ 1 / -1配置運行時，紫外線通常會入射在光柵上，如圖6所示。 衍射角θ0，θ-1，θ+ 1，θ-2，θ+ 2等由下式給出：UV波長λUV和相位掩模版周期ΛPM
sinΘm= mλUV/ΛPM
由+1和-1光束的干涉產(chǎn)生的條紋圖案的周期正好是相位掩模版周期的一半，而與入射輻射的波長無關(guān)。
PMT的相位掩模版經(jīng)過優(yōu)化，因此+1和-1階的強度z大，而零階的強度z小。 同樣，如果存在更高階數(shù)的強度（m =±2，±3等），也將被z小化。
如圖7所示，相位掩模版也可以在0 / -1配置下運行。該配置由條件|Θ0| = |Θ-1|定義，該條件確保條紋垂直于相位掩模版表面。
為了滿足此條件，所需的入射角為：
| sinΘin| = | sinθ0| =λUV/（2ΛPM）
此外，如果滿足條件（2/3）ΛPM<λUV<2ΛPM，那么將只有一個衍射階（-1階），而沒有其他階（例如+ 1，±2，±3） 等）。 換句話說，只有兩個輸出光束：0階和-1階。 這保證了干凈的條紋圖案。
由0階和-1階光束的干涉產(chǎn)生的條紋圖案的周期正好等于相位掩模版周期的周期。
無論入射輻射的波長如何，這都是正確的，而且不管是否在這種條件， |sin Θin| = λUV /(2 ΛPM )都可實現(xiàn)。
統(tǒng)一相位掩模版（RPM）
| 特點 Ø矩形基板，易于對準 Ø光柵長度從20.0毫米到45.0毫米 Ø全息記錄 應用領(lǐng)域 Ø密集波分復用（DWDM）濾波器和分插模塊 Ø變頻鎖柜和泵穩(wěn)定器 Ø相位掩模版用于制造摻鉺光纖放大器的增益平坦濾波器 |
規(guī)格
工作波長（nm） | 190 to 400 |
相位屏蔽周期（µm） | 0.4 to 1.2 |
周期制造公差（nm） | 未啁啾掩模為±0.3（可選±0.1） |
周期測量精度（nm） | ±0.02 |
外型尺寸 | 基板尺寸/孔徑(自定義尺寸) 17.2 mm x 24.5 mm/10 mm x 20 mm 17.2 mm x 38.1 mm/10 mm x 34 mm 17.2 mm x 50.8 mm/10 mm x 45 mm |
啁啾范圍（啁啾掩模）（nm / cm） | 0.03 to 40 |
衍射效率（％） | <_3 in 0th order; >_33 in ±1st order (RPM) <_5 in 0th order; >_30 in ±1st order (RPMC) 在0.7 µm至1.2 µm之間 |
損傷閾值（J / cm2） | 在248 nm的50 Hz下優(yōu)于每個脈沖1個 |
材料 | Corning 7980, Suprasil |
基板平整度 | λat 248 nm, both sides |
劃痕麻點 | 20 to 10 |
增透膜 | 可選 |
楔形（弧度） | <30 |
厚度（毫米） | 3.175 ±0.125 |
對于啁啾掩模：中心周期精度：±0.5 nm，中心定位誤差為±200 µm。
訂購信息：RPM（如果啁啾則為RPMC）-<激光波長>-<掩模周期>-<（光柵尺寸（寬x長））基板尺寸（寬x長）>。
示例：將17.2 mm x 25.4 mm尺寸的相位掩模版與248 nm的KrF準分子激光器一起使用，周期為1.0600 µm，定為：RPM-248-1.0600-（10 x 20）17.2 x 25.4。
8 nm / cm mask掩模的示例：RPMC-248-1.0600-（10 x 20）17.2 x 25.4-8 nm / cm。
啁啾相位掩模版（RPMC）
| 特點 Ø矩形基板，易于對準 Ø光柵長度從20.0毫米到45.0毫米 Ø全息記錄 應用領(lǐng)域 Ø密集波分復用（DWDM）濾波器和分插模塊 Ø變頻鎖柜和泵穩(wěn)定器 Ø相位掩模版用于制造摻鉺光纖放大器的增益平坦濾波器 |
規(guī)格
工作波長（nm） | 190 to 400 |
相位屏蔽周期（µm） | 0.4 to 1.2 |
周期制造公差（nm） | 未啁啾掩模為±0.3（可選±0.1） |
周期測量精度（nm） | ±0.02 |
外型尺寸 | 基板尺寸/孔徑（自定義尺寸） 17.2 mm x 24.5 mm/10 mm x 20 mm 17.2 mm x 38.1 mm/10 mm x 34 mm 17.2 mm x 50.8 mm/10 mm x 45 mm |
啁啾范圍（啁啾掩模）（nm / cm） | 0.03 to 40 |
衍射效率（％） | <_3 in 0th order; >_33 in ±1st order (RPM) <_5 in 0th order; >_30 in ±1st order (RPMC) 在0.7 µm至1.2 µm之間 |
損傷閾值（J / cm2） | 在248 nm的50 Hz下優(yōu)于每個脈沖1個 |
材料 | Corning 7980, Suprasil |
基板平整度 | λat 248 nm, both sides |
劃痕麻點 | 20 to 10 |
增透膜 | 可選 |
楔形（弧度） | <30 |
厚度（毫米） | 3.175 ±0.125 |
對于啁啾掩模：中心周期精度：±0.5 nm，中心定位誤差為±200 µm。
訂購信息：RPM（如果啁啾則為RPMC）-<激光波長>-<掩模周期>-<（光柵尺寸（寬x長））基板尺寸（寬x長）>。
示例：將17.2 mm x 25.4 mm尺寸的相位掩模版與248 nm的KrF準分子激光器一起使用，周期為1.0600 µm，定為：RPM-248-1.0600-（10 x 20）17.2 x 25.4。
8 nm / cm mask掩模的示例：RPMC-248-1.0600-（10 x 20）17.2 x 25.4-8 nm / cm。
長相掩模（LPM）
| 特點 Ø120毫米長光圈 Ø全息記錄 Ø線性啁啾 應用領(lǐng)域 Ø色散補償光柵（DCG） Ø數(shù)字波分復用（DWDM） Ø窄帶過濾器 |
規(guī)格
工作波長（nm） | 190 to 400 |
相位屏蔽周期（µm） | 0.6-1.2 |
周期制造公差（nm） | 未啁啾掩模為±0.3（可選±0.1） |
周期測量精度（nm） | ±0.02 |
外形尺寸 | 基板尺寸/孔徑 17.2 mm x 76.2 mm/10 mm x 60 mm 17.2 mm x 127.0 mm/10 mm x 120 mm |
啁啾范圍（啁啾掩模）（nm / cm） | 0.03 to 30 |
衍射效率（％） | <_5 in 0th order; >_30 in ±1st order |
損傷閾值（J / cm2） | 在248 nm的50 Hz下優(yōu)于每個脈沖1個 |
材料 | Corning 7980, Suprasil |
基板平整度 | λat 248 nm, both sides |
劃痕麻點 | 20 to 10 |
增透膜 | 可選 |
楔形（弧度） | <30 |
厚度（毫米） | 3.175 ±0.125 |
對于啁啾掩模：中心周期精度：±0.5 nm，中心定位誤差為±200 µm。
訂購信息：LPM（如果啁啾則為LPMC）-<激光波長>-<掩模周期>-<（光柵尺寸（寬x長））基板尺寸（寬x長）>。
示例：將15 mm x 127 mm尺寸的相位掩模版與248 nm的KrF準分子激光器一起使用，周期為1.0600 µm，定為：LPM-248-1.0600-（10 x 120）17.2 x 127。
0.083 nm / cm mask掩模的示例：LPMC-248-1.0600-（10 x 120）17.2 x 127-0.083 nm / cm。
定制相位掩模版
用于光波導光柵的二元相位掩模版 | 特點 Ø非常適合在光波導和集成電路中自動制造體積光柵和表面起伏光柵 Ø適用于硅上二氧化硅和其他新興技術(shù) |
規(guī)格
基材材質(zhì) | 熔融石英 |
基板厚度 | 3.175毫米，10.0毫米（可根據(jù)要求提供其他尺寸） |
任何單個有源光柵區(qū)域的周期 | 300 nm to 1200 nm |
標準基板尺寸 | 3 in. x 3 in., 4 in. x 4 in., 5 in. x 5 in. |
自定義配置示例
請注意，這些圖紙僅用于說清目的，并不反映Coherent的制造限制。 我們很高興與您合作，以滿足您的特定設(shè)計要求。
